Главная страница » Электрика в театре » Силовые полупроводниковые приборы

1 ... 23 24 25 26 27 28 29 ... 40

1,2 1,0

1,2 1,0

ф

10 га за -й^т/й<,л/мкс ia го зо-!Ит/м,а/шс ю го зо-(И,т./1И,а/шс

Рис. 13.9. Зависимости времени выключения ig, от скорости спада тока в открытом состоянин -dijIdt при Tj=Tj, 1т=1тАГт, Ur - IOO В, Ud = = 0,67 UpRM dupldt = 50 В/мкс: й-ТБ151-50, ТЫ51-63; 6-ТБ161-80, ТБ161-100, в - ТБ17М60, ТБ171-200

10 i/p

100 1

ч

10 и.

10 Ур,в 100

Рис. 13.10. Зависимость времени выключения tg, or обратного напряжения

Ur при 7, = Г^ , 1т=ТтАГт, dupldt = 50 В/мкс, Up = 0,67 Udrm, dijIdt =

= -10 А/мкс:

О-ТБ151-50, ТБ151-63, 6-ТБ161-80, ТБ161-100, в-ТБ171-160, ТБ171-200

0,9 0,8 0,7

о 0,15 0,30 (iu/M),

crit*

О 0,15 0,W{<iaj,/d£) ;j О 0,15 0,0(cCu/cLiJcnn

Рис. 13.11. Зависимости времеии выключения tg, от критическое скорости иярястаиия напряжении в закрытом состоянии (duрIdt)cru<, при Г, = Tj, Ur = = 100 В, iTlTAVm, dirldt = -10 А/мкс, [/д = 0,67 UpR: й-ТБ151-50, ТБ151-63; 6-ТБ161-80, ТБ161-100; в-ТБ171-160, ТБ171-200



60 ¥0

2

.

ff ZO 4-0 60 -iii.,/cU,A/MW 0 ¥0 60-dir/cLi,A/KC


- 8 ~-1

60-(Ит/сН,А/мкс

го to 60-dit/d-t,А/мкс


SO -diT/dt,A/MKQ

и

<

>-

2(7 fO 60-dij/di,A/mkc

Рис. 13.12. Зависимость заряда обратного восстановлеиия 2rr т скорости

спада тока в открытом состоянии -dij-/dt при Т. = Т., , (/; = 100 В: а ТБ151-50, 6-ТБ151-63, в-ТБ161-80, г - ТБ161-100, d - ТБ171-160 с-ТБ171-200, /-/7-= 0,5 1гАУ,п, 2-1г=1тАУт, 3 - 1т 1,5 1тлУ,



г,мкс

г

- а

С

г

о 20 40 60-dij/cCi, А/мкс О 20 ¥0 fS -cCir/dt, А/мкс а) )

,мкс

у


о Z0 40 BO-dij/d-t,A/MKC О 20 40 60-dij/d-t, А/ыкс В) г)

.,мкс

мкс

О 20 40 60-dir/d-i, А/мкс О 20 40 60 -dij/diA/wKC 3) е)

Рис. 13.13. Зависимости времени обратного восстановления t от скорости

спада тока в открытом состоянии -dijIdt при Tj = Tj , Uk = 100 В: а-ТБ151-50, 6-ТБ151-63, в-ТБ161-80, г-ТБ161-100, d - ТБ171-160, е-ТБ171-200, / -/г =0,5 IrAVm, 2-1т=1тАУт, i -/г = IrAVm

9 О Г. Чебовский и др



С/Вт 1,

1/ 1,0

о,г о

tja> tjc- 0,0. -0,0 -0,0. £

7,001 0,01 t,c

2(th)-lya, °C/Bt

izVoos

0,0 1 0,1 1 10 100 1000 t,c a)


0,01 0,1

°C/Bt (7,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2

0,1 0

-0,03

-0,02

-0,01 П

г

С

у

0,01 0,1

10 100 moot,с

Рнс. 13.14. Переходные тепловые сопротивления переход-корпус Z(i,j (5) н переход - среда Z(, a прн скоростях охлаждающего воздуха О м/с (/),

3 м/с (2), 6 м/с (5) н 12 м/с (4): а-ТБ151-50, ТБ151-63 (охладитель 0151-80), 6-ТБ161-80, ТБ161-100 (охладитель OI6I-80); в-ТБ171-160, ТБ171-200 (охладитель OI8I-II0)




100 s

10 s

Б

Ч


700 8 S

-71 -2

ff * Л7

Ч- Б S 0,1


Рис. 13.15




Рнс. 13.15. Продолжение




Рис. 13.15. Зависимости допустимой амплитуды импульсов тока Ijm от длительиости tp и частоты при Up = 0,67 £/д л/, f = 0,67 Urrm и температуре корпуса:

7с = 65°С. о-ТБ151-50; 6-ТБ151-63; в-ТБ161-80; г-ТБ161-100. д-ТБ171-160, е-ТБ171-200; Г^,=85°С, ж-ТБ151-50, 3-ТБ151-63; -ТБ161-80; к-ТБ161-100; л-ТБ171-160; . - ТБ171-200; Г^=105°С. и-ТБ151-50; о-ТБ151-63, п-ТБ161-80; р-ТБ161-100; с-ТБ171-160; т-ТБ171-200; /-630 Гц; 2 - 1000 Гц; 3- 1600 Гц; 4- 2500 Гц; 5 - 4000 Гц; 6 -6300 Гц;

7- 10000 Гц




Рис. 13.16. Зависимости допустимой амплитуды импульсов тока /3-д/ от длительности tp при температуре охлаждающей среды +50°С, скорости охлаждающего воздуха О м/с, £/д = 0,67 Urm, Ur = 0,67 Urrm: а - ТБ151-50 и б - ТБ151-63 (охладитель OI51-80); в - ТБ161-80 и г - ТБ161-100 (охладитель 0161-80); д-ТБ171-1б0 и е-ТБ171-200 (охладитель 0181-110); 1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц; 3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц; 5 - 4000 Гц; 6 - 6300 Гц;

7- 10000 Гц



(olUj/iitrit, 6/мкс


Ч

0,2 0,4 0,6 0,8 0 0,2 0,4 0,5 0,8 Uj,


Рис. 13.17. Зависимости критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоииня {duD/dr) от амплитуды напряжения в закрытом состоянии

Udrm, Р 7} = 7} , для групп

4-7 по {duD/dt)cr : О-ТБ151-50, ТБ151-63; б ~\ ТБ161-80, ТБ161-100; в-

ТБ171-160. ТБ171-200

13.2. ТИРИСТОРЫ ТИПОВ ТБ133-200, ТБ133-250, ТБ143-320, ТБ143-400, ТБ153-630, ТБ153-800, ТБ253-800, ТБ253-1000

Тиристоры типов ТБ133-200, ТБ133-250, ТБ143-320, ТБ143-400, ТБ153-630, ТБ153-800, ТБ253-800, ТБ253-1000 (ТУ 16-729.243-80) применяются в преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок, в которых требуются в первую очередь малые времена выключения и включения, а также высокие критические скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и тока в открытом состоянии. Тиристоры имеют повышенную нагрузочную способность при высоких частотах.

Тиристоры допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до -f-40°C, атмосферном давлении 0,085-0,105 МПа, относительной влажности 98 % при 35 °С.

Климатические исполнения и категория размещения У2, ХЛ2, Т2 по ГОСТ 15150-69, ГОСТ 15543-70.

Тиристоры допускают воздействие синусоидальной вибрации в диапазоне частот 1 - 100 Гц с ускорением 49 м/с2 и одиночных ударов длительностью 50 мс с ускорением 39,2 м/с2.

Тиристоры выпускаются в таблеточном исполнении. Полярность тиристоров различается с помощью символа, нанесенного на корпусе.

Предельно допустимые значения параметров тиристоров приведены в табл. 13.4, характеризующие параметры - в табл. 13.5, типы рекомендуемых охладителей и нагрузочная способность тиристоров-в табл. 13.6, зависимости параметров от различных условий - на рис. 13.19-13.34, габаритные и присоединительные размеры тиристоров - на рис. 13.18.



Таблица 13.4. Предельно донустимые значения параметров тиристоров

Параметр

из из i-i-

u3 цз

из из i-i-

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии Udrm и повторяющееся импульсное обра гное напряжение Urrm, В (диапазон температур от Г^ , до Tj импульсы напряжения однополупериодные синусоидальные, t = = 10 мс, /= 50 Гц, цепь управления разомкнута)

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии IfAVm, А(Г^ = 85°С, ток однополупериодный синусоидальный, угол проводимости Р = 180°, /=50 Гц)

Действующий ток iTRMS, А (/= 50 Гц)

в открытом состоянии

Ударный ненов горяющийся ток в открытом состоянии JfSM, кА (ток однополупериодный синусоидальный, одиночный импучьс t, = 10 мс, Ur = 0; режим в цепи управления: длительность фронта импульса 5 мкс, {/ = 10 В, внутреннее сопротивление источника управления 5 - 10 Ом, ta= 10 мкс, Г^ = 25°С)

То же при Tj =

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (diTiiffcrtt, А/мкс (Tj = Tj , Ud = 0,67 Udrm, /г < ЮОО a, /= 1 5 Гц, длительность импульса 10 мкс, параметры источника управления, как для Ifsu)

Средняя мощность потерь на управляющем электроде Рду, Вт (Tj= Tj )

Температура перехода, °С:

максимально допустимая 7 минимально допустимая Tj, ,

Температура хранения, °С:

максимально допустимая минимально допустимая Т^щтт Прижимное усилие, кН

600- 1200

200; 250

315; 392

6,0; 6,5

5,2, 5,5

320; 400

500, 630

7,0, 8,0

6,0, 7,0

630; 800

990, 1255

12,0; 14,0

10,0, 12,0

600-1400

800; 1000

1255; 1570

22,0; 24,0

20,0; 21,0

См. рис. 13.22

125 -60

60 -60

+ 1,6 16±3,2 20 + 4 24±4,8



1 ... 23 24 25 26 27 28 29 ... 40

© 2000-2025. Поддержка сайта: +7 495 7950139 добавочный 133270.
Заимствование текстов разрешено при условии цитирования.