В настоящее время в эксплуатации находится большое количество самых разнообразных видов и типов силовых полупроводниковых Ттриборов. При этом каждый полупроводниковый прибор характеризуется целым рядом параметров, каждый из которых, в свою очередь, определяется несколькими зависимостями от других параметров и от различных условий работы. Естественно, что подробное описание характеристик каждого прибора привело бы к непомерному возрастанию объема справочника. Наряду с этим некоторые общие особенности условий работы силовых полупроводниковых приборов, их параметров и характеристик дают возможность обобщить отдельные данные с целью сокращения объема справочника.

В таблицах предельно допустимых значений параметров приборов указывается диапазон повторяющихся напряжений для каждого типа приборов. При этом внутри диапазона деление на классы по значениям повторяющегося напряжения производится в соответствии с табл. 1.4 (§ 1.1) Значения неповторяющегося напряжения, соответствующие определенным классам, должны быть вычислены как 1,16 повторяющегося напряжения, значение рабочего напряжения - как 0,8 и значения постоянного напряжения - как 0,7 повторяющегося напряжения. Аналогично в таблицах параметров многих приборов приведены диапазоны значений таких параметров, как время включения и выключения, критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии и напряжения в закрытом состоянии и др. При этом внутри диапазона деление на группы производится в соответствии с таблицами § 1.1.

В справочных данных отдельные параметры указываются в относительных единицах. За базовые значения в этих случаях принимаются значения параметров, указанных в таблицах предельно допустимьи значений и характеристик для каждого типа прибора.

Контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения (импульсного напряжения в открытом состоянии) и температуры корпуса указаны на рисунках габаритных размеров приборов. При этом для приборов штыревого исполнения контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения (напряжения в открытом состоянии) обозначены ml, а температуры корпуса - т2. Для таблеточных приборов эти контрольные точки расположены на основаниях на окружности 5 - 10 мм относительно оси прибора.

В отдельных столбцах таблиц справочника приводится несколько значений одного параметра. При этом порядок указания значений соответствует порядку указания типов приборов в заголовке столбца.

Например, в разд. 5 (§ 5.2) в табл. 5.5 приведены значения при Tj = = 25 °С ударного неповторяющегося тока (Itsm) fll 7,0 и 8,2 кА, а в заголовке этого столбца указаны типы диодов Д161-200, Д161-250 и Д161-320 Это значит, что для диода Д161-200 значение Itsm равно 6,0 кА, для Д161-250 7,0 кА и для Д161-30 8,2 кА.

Ввиду того что значения таких параметров, как критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, время выключения и критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, различны для одних и тех же групп по прежней и новой системам обозначений, в таблицах параметров некоторых приборов диапазон значений вышеуказанных величин приведен в скобках. В этих случаях деление на группы внутри указанного диапазона должно производиться 3 соответствии с таблицами § 1.1 по значениям, указанным в этих таблицах в скобках.

В разд. 18 приведены справочные данные нового направления силового полупроводникового приборостроения - силовые транзисторы, в которых использовались материалы технических условий и экспериментальных исследований.

Справочные данные охватывают транзисторы на токи коллектора 16-100 А, напряжение коллектор-база до 800 В. В них не вошли данные на опытио-конструкторские разработки транзисторов с пред-усилением (Дарлингтона) на токи 16-125 А, напряжение до 1000 В. Появление транзисторов Дарлингтона (ТУ. 16.432.045-84) имеет огромную перспективу, так как приборы данной серии позволят скомпенсировать снижение коэффициентов передачи при повышенных плотностях тока.

ЧАСТЬ ПЕРВАЯ

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

РАЗДЕЛ 1

КЛАССИФИКАЦИЯ И СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1.1 КЛАССИФИКАЦИЯ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

к силовым полупроводниковым приборам относятся диоды, триодные тиристоры, непроводящие в обратном направлении (в дальнейшем тиристоры), тиристоры, проводящие в обратном направлении, и симметричные тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10 А и более или максимально допустимые импульсные токи 100 А и более, стабилитроны и симметричные стабилитроны с максимально допустимым значением рассеиваемой мощности 15 Вт и более, ограничители напряжения и симметричные ограничители напряжения с максимально допустимым значением рассеиваемой энергии 5 Дж и более, транзисторы с током коллектора 10 А и более, предназначенные для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок.

По принципу действия силовые полупроводниковые приборы делятся на следующие основные виды: диоды, тиристоры, тиристоры симметричные, стабилитроны, ограничители напряжения, транзисторы.

Внутри каждого из указанных видов приборы подразделяются на типы: диоды - по значениям максимально допустимого среднего прямого тока, тиристоры - по значениям максимально допустимого прямого тока в открытом состоянии, симметричные тиристоры - по значениям максимально допустимого действующего тока в открытом состоянии, стабилитроны - по значениям максимально допустимой мощности рассеяния, ограничители напряжения - по значениям максимально допустимой рассеиваемой энергии.

Приборы одного типа подразделяются на классы: диоды - по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения, тиристоры - по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения иповторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии, тиристоры, проводящие в обратном направлении, и симметричные тиристоры - по значениям повторяющегося напряжения в закрытом состоянии, стабилитроны - по значениям напряжения стабилизации, ограничители напряжения - по значениям напряжения лавинного пробоя.